硅基III-V族材料(GaAs)外延集成技术研究

来源:中国科学院量子信息与量子科技创新研究院发布时间:2020-09-17

报告题目硅基III-V族材料(GaAs)外延集成技术研究
报告人龚谦 研究员
报告人单位中国科学院上海微系统与信息技术研究所
报告时间2020-10-09 (周五) 10:00
报告地点上海研究院4号楼329报告厅(理化大楼1楼科技展厅同步视频)
主办单位中国科学院量子信息与量子科技创新研究院
报告介绍

报告摘要:报告内容包括以下三个部分:1)半导体光电子器件的基本物理图像及分析;2)分子束外延技术简介;3)硅基III-V族材料外延集成技术研究进展。
报告人简介:龚谦,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,研究员,博士生导师。1993年毕业于北京师范大学物理系获固体物理专业获学士学位。1998年毕业于中国科学院半导体研究所,获半导体材料与器件专业博士学位。1999年至2001年,在德国柏林Paul-Drude研究所从事博士后研究工作,主要研究高指数晶面和图案衬底上的MBE生长机理。2001年至2004年,在荷兰Eindhoven理工大学COBRA研究所从事博士后研究工作,主要研究MBE和CBE中自组装量子点的生长机理及物理特性。在XSTM的实验结果基础上,对量子点的形成机制提出了理论模型和解释。提出并验证了利用亚原子层厚GaAs或InP材料在1.55微米波段连续调节InAs量子点发光波长的方法。2004年加入中科院上海微系统与信息技术研究所,在半导体单模激光器方面开展了广泛研究,成功研制了室温工作的GaAs和InP基量子点外腔激光器。成功研制了室温连续工作的Ge基InAs量子点激光器和GaSb基InGaAsSb量子阱激光器。在国际学术期刊上发表论文100多篇,被引用1700多次。

 

相关文章