10月5日，在加拿大魁北克举行的2022年硅量子电子研讨会上，英特尔展示了在量子芯片生产研究方面实现的关键里程碑结果。首先，英特尔硅自旋（半导体）量子比特芯片良率高达95%；同时，刷新了硅自旋量子比特数量的新纪录达到12个。这意味着硅自旋量子比特芯片已经非常接近量产，是朝着商业量子计算机所需的数千甚至数百万量子比特迈出的关键一步。
该硅自旋量子比特器件是在位于俄勒冈州希尔斯伯勒的英特尔晶体管研发中心开发的，是使用英特尔的第二代硅自旋测试芯片进行的。通过使用英特尔低温探针（在低温（1.7 K或-271.45摄氏度）下运行的量子点测试设备，该团队分离出12个量子点和4个传感器。这是业界最大的硅电子自旋器件，在整个300 mm硅晶圆的每个位置都有一个电子。而且这些芯片采用极紫外(EUV)光刻技术制造，具有显著的一致性，整个晶圆的良率达到95%。
英特尔量子硬件总监James Clarke表示：“英特尔继续在利用自己的晶体管制造技术制造硅自旋量子比特方面取得进展。实现的高良率和一致性表明，在英特尔已建立的晶体管工艺节点上制造量子芯片是一项明智的战略，是随着技术商业化的成熟而取得成功的有力标志。”
资料来源：