硅基III-V族材料（GaAs）外延集成技术研究

报告摘要：报告内容包括以下三个部分：1）半导体光电子器件的基本物理图像及分析；2)分子束外延技术简介；3)硅基III-V族材料外延集成技术研究进展。
报告人简介：龚谦，中国科学院上海微系统与信息技术研究所，研究员，博士生导师。1993年毕业于北京师范大学物理系获固体物理专业获学士学位。1998年毕业于中国科学院半导体研究所，获半导体材料与器件专业博士学位。1999年至2001年，在德国柏林Paul-Drude研究所从事博士后研究工作，主要研究高指数晶面和图案衬底上的MBE生长机理。2001年至2004年，在荷兰Eindhoven理工大学COBRA研究所从事博士后研究工作，主要研究MBE和CBE中自组装量子点的生长机理及物理特性。在XSTM的实验结果基础上，对量子点的形成机制提出了理论模型和解释。提出并验证了利用亚原子层厚GaAs或InP材料在1.55微米波段连续调节InAs量子点发光波长的方法。2004年加入中科院上海微系统与信息技术研究所，在半导体单模激光器方面开展了广泛研究，成功研制了室温工作的GaAs和InP基量子点外腔激光器。成功研制了室温连续工作的Ge基InAs量子点激光器和GaSb基InGaAsSb量子阱激光器。在国际学术期刊上发表论文100多篇，被引用1700多次。